300KW SiC-MOSFET ठोस राज्य उच्च आवृत्ति पाइप वेल्डर

300KW SiC-MOSFET ठोस राज्य उच्च आवृत्ति पाइप वेल्डरSiC mosfet लाई अपनाउँछ र यसमा उच्च तापमान र उच्च दबाव प्रतिरोध छ। SiC mosfet मुख्यतया पावर मोड्युल बोर्डहरूमा प्रयोग गरिन्छ। यो प्रकारको पावर बोर्डहरू ठोस अवस्था उच्च आवृत्ति पाइप वेल्डरमा प्रयोग गरिन्छ।

प्राविधिक मापदण्डहरू:

रेटेड आउटपुट शक्ति: 300kW

वेल्डिङ मोड: प्रेरण प्रकार

रेटेड डीसी भोल्टेज: 240V

मूल्याङ्कन गरिएको DC वर्तमान: 1500A

रेटेड आवृत्ति: 300KHZ

सम्पूर्ण दक्षता: η≥85%

बिजुली आपूर्ति भोल्टेज: 3-चरण 380V/50Hz (उपकरणले भोल्टेज 380V±5% मा काम गर्न सक्छ)

पावर वितरण क्षमता: ≥360kVA

प्रदर्शन विशेषताहरू

उच्च तापमान र उच्च दबाव प्रतिरोध: SiC को पावर उपकरणहरूको निर्माण सक्षम बनाउँछ300KW SiC-MOSFET ठोस राज्य उच्च आवृत्ति पाइप वेल्डरउच्च-तापमान वातावरणमा पनि विश्वसनीय रूपमा सञ्चालन। SiC सँग इन्सुलेशनको लागि एक ब्रेकडाउन फिल्ड बल छ जुन Si भन्दा दस गुणा बढी छ, जसले उच्च-भोल्टेज पावर उपकरणहरूको उत्पादनको लागि अनुमति दिन्छ जसले बढेको डोपिङ सांद्रता र Si- आधारित यन्त्रहरूको तुलनामा पातलो बहाव तह फिल्म मोटाई समावेश गर्दछ।

उपकरणहरूको लघुकरण र हल्का डिजाइन: सिलिकन कार्बाइड (SiC) उपकरणहरू300KW SiC-MOSFET ठोस राज्य उच्च आवृत्ति पाइप वेल्डरउच्च थर्मल चालकता र पावर घनत्व प्रदान गर्दछ, गर्मी अपव्यय प्रणालीलाई सरल बनाउँदै र उपकरण लघुकरण र हल्का निर्माणको सुविधा दिन्छ।

उच्च फ्रिक्वेन्सी सञ्चालन र कम ऊर्जा हानि: SiC यन्त्रहरूले सिलिकन-आधारित यन्त्रहरू भन्दा दस गुणा बढी फ्रिक्वेन्सीहरूमा काम गर्छन्, फ्रिक्वेन्सी बढ्दै जाँदा नोक्सान बिना दक्षता कायम राख्छ, जसको परिणामस्वरूप ऊर्जाको हानिमा लगभग 50% कमी हुन्छ। थप रूपमा, बढेको अपरेटिङ फ्रिक्वेन्सीले इन्डक्टरहरू र ट्रान्सफर्मरहरू जस्ता परिधीय कम्पोनेन्टहरूको भोल्युम घटाउँछ, जसले प्रणाली भोल्युम र कम्पोनेन्ट लागतहरू घटाउँछ।

उत्पादन मात्र गर्दैनौं300KW SiC-MOSFET ठोस राज्य उच्च आवृत्ति पाइप वेल्डरहरू, तर उच्च प्रदर्शन र भरपर्दो इन्डक्शन गर्मी उपचार उपकरण र केहि समाधानहरू पनि प्रदान गर्दछ। विस्तृत जानकारीको लागि परामर्श गर्न स्वागत छ!